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　　外部逻辑芯片需求的增量贡献尤为值得关注。报告援引TrendForce数据显示，在英伟达(NVDA.US)与Groq达成非独家授权及知识产权对齐协议后，业界对更多先进逻辑芯片产能向非主流晶圆代工厂转移的讨论日益增多。尽管具体产能规模和时间节点尚未明确，但先进逻辑晶圆因极紫外光刻(EUV)时代的深度集成和多重图形技术复杂性，即便小幅增量也将显著提升工艺步骤数量。加之特斯拉(TSLA.US)与三星的合作，这些进展将进一步巩固工艺设备和材料的持续性需求基础。

　　从价值链受益环节来看，报告重点推荐三大领域：一是保护膜及相关工艺耗材，随着EUV光刻层数增加，用于保护光刻掩模并提升图形保真度的保护膜材料需求将随产能利用率同步增长;二是空白掩模及检测中间产品，作为光刻图案化的关键输入，本地掩模和空白掩模供应商的材料消耗与产能利用率呈正比，尤其在EUV渗透率持续提升的背景下;三是激光基及精密工艺设备，这类支持晶圆退火、标记或微制造等工序的设备，其使用率和服务周期将直接随吞吐量提升而增加。